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CSD19501KCS

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型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD19501KCS
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD19501KCS
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Texas Instruments
標(biāo)準(zhǔn)封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

CSD19501KCS
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1500
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

CSD19501KCS
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
TI
TO220
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

CSD19501KCS
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-220
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

CSD19501KCS
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
320349
TI
con
24+
-

CSD19501KCS
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
320349
TI
con
24+
-

CSD19501KCS
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
320349
TI
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

CSD19501KCS
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
320349
TI
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

CSD19501KCS
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
320349
TI
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

CSD19501KCS
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
46
專營TI
TO220
假一賠十！
-
原裝自己現(xiàn)貨！！

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功能描述
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
100A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
6.6 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
50nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
3980pF @ 40V
功率 - 最大值
217W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-220-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

CSD19501KCS 技術(shù)參數(shù)

CSD18563Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 mOhm @ 18A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18563Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 mOhm @ 18A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-SON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18543Q3AT 功能描述:60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），60A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:66W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.6 毫歐 @ 12A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18543Q3A 功能描述:60V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），60A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:66W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.6 毫歐 @ 12A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18542KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta），170A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5070pF @ 30V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19531KCS CSD19531Q5A CSD19531Q5AT CSD19532KTT CSD19532KTTT CSD19532Q5B CSD19532Q5BT CSD19533KCS CSD19533Q5A CSD19533Q5AT CSD19534KCS CSD19534Q5A CSD19534Q5AT CSD19535KCS CSD19535KTT CSD19535KTTT CSD19536KCS CSD19536KTT

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