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CSD25303W1015

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

CSD25303W1015
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
5490
TI
新年份
BGA-6
-
自己現貨特價

CSD25303W1015
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
20
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現貨

CSD25303W1015
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
6010
TI
DSBGA6
13+
-
原裝正品現貨庫存

CSD25303W1015
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
TI
DSBGA6
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

CSD25303W1015
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TEXAS
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

CSD25303W1015
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
3000
TI
DSBGA
1301+
-
原廠特價貨源

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1

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功能描述
MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD25303W1015 技術參數

CSD25302Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 10V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-SON 標準包裝:1 CSD25301W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5）標準包裝:1 CSD25213W10 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:47 毫歐 @ 1A、 4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:478pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:4-DSBGA（1x1）標準包裝:1 CSD25211W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:570pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5）標準包裝:1 CSD25202W15T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1010pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD25481F4 CSD25481F4T CSD25483F4 CSD25483F4T CSD25484F4 CSD25484F4T CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H