應用范圍:放大 | 品牌:驪創 | 型號:3DD102B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:個
應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KPF102G02 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產品類型:PIP2 | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23
≥1000 PCS
¥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KPF102G01 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產品類型:PPIP1 | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23
應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRX102U | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產品類型:USV | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23
應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRX102E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產品類型:000 | 溝道類型:其他 | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23
應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRX102F | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產品類型:TFSV | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23
應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KTX102E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:41 | 集電極最大允許電流ICM:21 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:10 | 結構:點接觸型 | 產品類型:TES6 | 是否進口:是 | 封裝材料:玻璃封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:32
¥0.35
應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:3DG102 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是
≥1 PCS
¥0.18
應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:BUZ102 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:- | 擊穿電壓VCBO:- | 集電極最大允許電流ICM:- | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:- | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝