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應用范圍:振蕩 | 品牌:國產 | 型號:2SB772 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 截止頻率fT:0

應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SA720(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:功率 | 品牌:ON安森美 | 型號:MJD112T4G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-252

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:S8050 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-223

應用范圍:功率 | 品牌:仙童 | 型號:C2383 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:功率 | 品牌:國產長電 | 型號:MMBT5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S8050 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BUX48A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:平面型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1

類型:其他IC | 品牌:ON/安森美 | 型號:S9015 | 功率:w | 用途:儀器 | 封裝:SOT-23 | 批號:以實物為準

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:功率 | 品牌:科威 | 型號:三極管全系列 | 材料:鍺 | 封裝形式:直插型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:功率 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:2SA2048-Q | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2SC1318Y(TO-92/92L封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:C945(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2SC1815Y(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:S9012H/S9013H(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:S8050D/S8550D(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100