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應用范圍:功率 | 品牌:仙童 | 型號:C2383 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:CJ | 型號:2SC2383Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92L

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:三極管 2SC2383Y C2383 小功率1A 160V （TO-92L） | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO3P/TO220/TO92/SOT23/SOT89

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC2383 | 材料:硅(SI)，硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:直插型

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC2383 | 功率:詳詢 | 用途:三極管 | 封裝:TO-92L | 批號:2013

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:2SC2383Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92L | 屬性:屬性值

應用范圍:振蕩 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SA1013-Y 2SC2383-Y | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型

應用范圍:開關 | 品牌:國產 | 型號:C2383 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:0 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:0

應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C2383 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2sc2383 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT89

應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C2383 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SC2383-Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:標準 | 類型:其他 | 批號:2014+ | 封裝:TO-92L

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C2383 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:C2383 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:1000 | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C2383-Y | 功率:12 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 針腳數:3 | 封裝:TO-92L

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C2383 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.75 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:20 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:200

應用范圍:開關 | 品牌:TSC/臺半 | 型號:C2383 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1.9 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝