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應用范圍:功率 | 品牌:ON安森美 | 型號:MJD112T4G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-252

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3906 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:23 | 集電極最大允許電流ICM:200M | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:3A | 結構:點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:40

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:MMBT3906 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:A1020 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 二極管用途:功率管 | 三極管結構:PNP | 材質:鍺

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3906 2A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SA1020-Y 2SA1020 A1020 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:直插型 | 功耗:. | 工作溫度范圍:. | 封裝材料:金屬封裝

類型:其他IC | 品牌:GT | 型號:GT1503 | 功率:標準 | 用途:儀器 | 封裝:SOP8 | 批號:11+

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3906-2A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.35 | 擊穿電壓VCBO:40 | 集電極最大允許電流ICM:0.2 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:250 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是

應用范圍:功率 | 品牌:長電、KEC、LRC、ON | 型號:2N3906/2A/ZA | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92/SOT-23 | 擊穿電壓VCBO:60 | 集電極最大允許電流ICM:200MA | 極性:PNP型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3904/1AM MMBT3906/2A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.65 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:12 | 結構:合金擴散型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1KV

品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號:2SK2225 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK2225 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

應用范圍:放大 | 品牌:LRC | 型號:BC847C-SOT23

應用范圍:放大 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SD1621T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:2SC3728-T11-1E | 集電極最大耗散功率PCM:0.5 | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:80 | 結構:外延型 | 材料:硅(Si) | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:12 | 應用范圍:放大

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3906 2A；MMBT3904 1AM;9015 M6 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:BZ | 擊穿電壓VCBO:BZ | 集電極最大允許電流ICM:BZ | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:BZ | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SD669A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-126C

應用范圍:功率 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:B861 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:to-220

應用范圍:功率 | 品牌:UTC(臺灣友順） | 型號:2SB1116/2SB1116A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大耗散功率PCM:咨詢工程 | 集電極最大允許電流ICM:咨詢工程 | 截止頻率fT:咨詢工程