類型:其他IC | 品牌:SK | 型號:STRG6352 STRG6353 | 封裝形式:TO-220 | 材料:硅(Si) | 應用范圍:振蕩
應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C5144 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:直插型 | 類形:TO-3PL
50-199 PCS
￥4.20
≥200 PCS
￥4.10
≥10 個
￥0.45
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:3P4M 3P6M | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:玻璃封裝 | 封裝外形:螺旋形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發電流:1（mA） | 最大穩定工作電流:11（A） | 反向重復峰值電壓:1（V）
≥100 PCS
￥0.30
品牌:Motorola/摩托羅拉 | 型號:2N6504 2N6505 2N6507 | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:樹脂封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發電流:1（mA） | 最大穩定工作電流:1（A） | 反向重復峰值電壓:1（V）
≥100 PCS
￥0.90
應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:AC10D | 材料:硅(Si)
≥100 PCS
￥0.35
應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:TYN1012T | 材料:硅(Si)
≥100 PCS
￥0.55
品牌:ST/意法 | 型號:TYN1225 | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:高頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:25（A） | 控制極觸發電流:25（mA） | 最大穩定工作電流:25（A） | 反向重復峰值電壓:1200（V）
≥100 PCS
￥1.20
應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:TYN208 | 材料:鍺(Ge)
≥100 PCS
￥0.35
應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:TYN225 | 材料:鍺(Ge)
≥100 PCS
￥1.20
≥10 個
￥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:TYN625 | 控制方式:雙向 | 極數:三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:中功率
≥10 個
￥1.10
≥10 個
￥0.28
≥10 個
￥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:BTB10-800BW | 控制方式:雙向 | 極數:三極 | 封裝材料:金屬封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發電流:50MA（mA） | 最大穩定工作電流:10A（A） | 反向重復峰值電壓:800V（V）
≥10 個
￥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:BTB06-600B | 控制方式:雙向 | 極數:三極 | 封裝材料:金屬封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:6（A） | 控制極觸發電流:≤50（mA） | 最大穩定工作電流:3（A） | 反向重復峰值電壓:600（V）
≥10 個
￥0.28
應用范圍:放大 | 品牌:進口 | 型號:2SC4055 C4055 | 材料:硅(Si)
≥100 PCS
￥0.30
應用范圍:放大 | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:CR6CM | 材料:硅(Si)
≥100 PCS
￥0.60
應用范圍:振蕩 | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:BCR3PM BCR3KM | 材料:硅(Si) | 溝道類型:其他
≥100 PCS
￥0.24
應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:75639G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247
≥10 個
￥1.80