≥100 個
￥1.03
應用范圍:開關 | 品牌:Samsung/三星 | 型號:IRF740 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:300 | 擊穿電壓VCBO:80 | 集電極最大允許電流ICM:80
≥1000 PCS
￥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:Samsung/三星 | 型號:E13003 | 材料:鍺(Ge)
≥100 PCS
￥0.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF640 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HG/高跨導 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
￥0.22
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:K3435 K3435B K34351 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 應用范圍:振蕩
≥100 個
￥0.17
應用范圍:放大 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF2807 | 材料:硅(Si)
≥100 PCS
￥0.50
應用范圍:開關 | 品牌:ST/意法 | 型號:P5NK60 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:300 | 擊穿電壓VCBO:600 | 集電極最大允許電流ICM:5
應用范圍:振蕩 | 品牌:ST/意法 | 型號:P4NA60 | 材料:鍺(Ge)
≥100 PCS
￥0.45
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:P2NA60 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:300 | 擊穿電壓VCBO:600 | 集電極最大允許電流ICM:2
應用范圍:開關 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP31C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:600 | 極性:NPN型 | 加工定制:是
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N60C 5N60 P5NK60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:開關
≥80 個
￥0.40
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI840G IRF840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:開關
≥50 個
￥0.54
品牌:ST/意法 | 型號:BTA12-600B | 控制方式:雙向 | 極數:三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:12（A） | 控制極觸發電流:1（mA） | 最大穩定工作電流:12（A） | 反向重復峰值電壓:600（V）
≥100 PCS
￥0.37
≥1000 PCS
￥0.28
類型:其他IC | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:D1593 ，2SD1593 ， | 封裝形式:直插型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:功率
≥100 個
￥0.10
應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:D526 ，2SD526 | 封裝形式:直插型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是
≥100 個
￥0.30
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:D1590 ，2SD1590 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:直插型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:功率
≥100 個
￥0.38
應用范圍:功率 | 品牌:SANKEN | 型號:D1790 ，2SD1790 | 封裝形式:直插型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是
≥100 個
￥0.35