應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G10N60RUFD | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:直插型
≥10 個
¥1.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:8N60 FQPF8N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 應用范圍:放大
≥100 個
¥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HFA30PA60C | 應用范圍:電源 | 整流元件:三極管 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻
≥10 個
¥2.20
應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:RJH3047 | 材料:MES金屬半導體 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:L/功率放大 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥10 個
¥1.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF3N80 3N90 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵
≥100 個
¥0.50
應用范圍:振蕩 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KA7912 L7912CV | 材料:硅(Si)
≥100 PCS
¥0.25
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP047AN08AO | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP050AN06AO | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥200 個
¥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF640 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HG/高跨導 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
¥0.22
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N60C 5N60 P5NK60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:開關
≥80 個
¥0.40
應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:88N30W | 封裝形式:直插型 | 加工定制:否
≥5010 PCS
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 FQPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥94 個
¥0.37
種類:三極管 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:J13009-2
≥1000 PCS
¥0.35
應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:7M0880 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247
≥1000 個
¥2.80
應用范圍:開關 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:E13009L J13009 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247
≥1000 個
¥0.70
應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:E13009L, J13009 | 材料:硅(SI),硅(SI) | 封裝形式:直插型
50-499 PCS
¥0.80
≥500 PCS
¥0.70
應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:D2012 D2394 D2395 C3852 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:朔封 220
100-9999 PCS
¥0.35
≥10000 PCS
¥0.30
應用范圍:開關 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2SC2335 C2335 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:600