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應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:DIP | 產品性質:熱銷 | 營銷方式:現貨 | 封裝:TO-3P

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型 | 屬性:屬性值

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320，3P，NPN， 2SC2625，3P，三極管，NPN，400V，10A KSE130 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:400 | 集電極最大允許電流ICM:12 | 截止頻率fT:-

應用范圍:放大 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:10 | 跨導:10 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:10 | 用途:O/振蕩 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:10 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:10

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC3320 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:- | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 用途:CC/恒流 | 溝道類型:P溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:- | 低頻跨導:1

應用范圍:開關 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:振蕩 | 品牌:進口 | 型號:2SC3320 C3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:22

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:PUJI富士 | 型號:2SC3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:80 | 擊穿電壓VCBO:8 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 是否提供加工定制:是 | 封裝材料:塑料封裝

類型:其他IC | 品牌:UTC/友順 | 型號:2SC3320L | 應用范圍:功率

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2sc3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:to-3p | 集電極最大耗散功率PCM:125 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:500

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:. | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:. | 截止頻率fT:. | 結構:點接觸型 | 加工定制:否 | 封裝材料:塑料封裝 | 擊穿電壓VCEO:..

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:2SC3158，2SC3320 | 封裝形式:TO-3P | 類別:直插 | 發貨期限:7 | 供應商類型:自主生產廠商

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320SC | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 產品性質:熱銷 | 功率特性:中功率 | 營銷方式:現貨 | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 頻率特性:高頻 | 應用范圍:達林頓

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:88 | 集電極最大允許電流ICM:89 | 截止頻率fT:120

應用范圍:放大 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SC3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:400