SVD4N60D/F(G)/T N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效
應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的S-RinTM平面高壓VDMOS 工藝
技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品
具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿
耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源，DC-DC 電源
轉(zhuǎn)換器，高壓 H 橋 PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
特點(diǎn)
∗ 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V
∗ 低柵極電荷量
∗ 低反向傳輸電容
∗ 開關(guān)速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力...