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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF1N60 FQPF2N60 FQPF3N60 FQPF4N60 FQPF5N60 F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG30N60A4D | 封裝:TO-247 | 批號:12+

品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

種類:場效應(yīng)管 | 品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK4A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGS4B60KD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

種類:場效應(yīng)管 | 品牌:ON/安森美 | 型號:NTD70N03，NTD60N02，NTD70N03RT4G，NTD60N02RT4G

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPC60LC IRFPC40 IRFPC50LC IRFP120 IRFP140 IRFP | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:16A | 開啟電壓:4 | 極間電容:3500

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K4A60DA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:UTC/友順 | 型號:4N60-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 FQP5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SL | 型號:SVF4N60T/F/D/M/K | 溝道類型:其他 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:2012+ | 封裝:TO220;TO220F;TO252:TO251

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:UTC/友順 | 型號:UF830 4N60L 7N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開啟電壓:TO-220/252 | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

種類:場效應(yīng)管 | 品牌:臺灣友順UTC | 型號:UTC4N60

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCP4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:UTC/友順 | 型號:4N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):TO-252/TO-220 | 開啟電壓:600V | 夾斷電壓:4A | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:ST/意法 | 型號:STD5NM60T4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5