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品牌:HX | 型號:4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DIFF/差分放大 | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 材料:HEMT高電子遷移率

品牌:HX | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DIFF/差分放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:HEMT高電子遷移率

品牌:HX | 型號:HX1N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導:70 | 最大漏極電流:1200 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:30 | 最大耗散功率:1000

品牌:HX | 型號:HX2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:70 | 最大漏極電流:2000 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:35 | 最大耗散功率:4

品牌:HX | 型號:HX4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導:70 | 最大漏極電流:11200 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:50 | 最大耗散功率:49000

品牌:HX | 型號:HX4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導:70 | 最大漏極電流:11200 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:50 | 最大耗散功率:49000