品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF1N60 FQPF2N60 FQPF3N60 FQPF4N60 FQPF5N60 F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-99 個
¥1.00
100-999 個
¥0.90
≥1000 個
¥0.84
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K4A60DA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
≥5000 個
¥1.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 FQP5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥1.20
品牌:華潤華晶 | 型號:CS10N60A8HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10 | 開啟電壓:2-4 | 最大耗散功率:193
≥10000 個
¥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
¥1.50
5000-9999 個
¥1.45
≥10000 個
¥1.40
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPD15N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.10
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TK4A60DA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:14+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
≥5000 個
¥1.10
品牌:ST/意法 | 型號:STP60NF06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:60A | 開啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:0 | 極間電容:1660 | 最大耗散功率:110W
≥50 個
¥1.60
品牌:臺灣震陽 | 型號:Z4953 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 跨導:60 | 最大漏極電流:-4.5A | 極間電容:490
≥1000 個
¥0.28
品牌:ST/意法 | 型號:D4NK60Z-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:** | 最大漏極電流:** | 開啟電壓:**
≥4000 個
¥1.20
品牌:ST/意法 | 型號:STD5NK60ZT4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:** | 跨導:** | 開啟電壓:** | 夾斷電壓:** | 低頻噪聲系數:** | 極間電容:** | 最大耗散功率:**
≥2500 個
¥2.50
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-199 個
¥1.90
200-1999 個
¥1.50
≥2000 個
¥1.30
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF4N60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥2500 個
¥0.80
品牌:HJ/華昕 | 型號:4N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2 | 跨導:10 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:12 | 極間電容:11 | 最大耗散功率:170
≥1 個
¥0.90
品牌:HJ/華昕 | 型號:4N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:3.5 | 跨導:10 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:12 | 極間電容:11 | 最大耗散功率:170
≥1 個
¥0.90
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG20N60A4/HGTP20N60A4 TO-247 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1 個
¥2.95
品牌:SL silan 士蘭微電子 | 型號:SVF4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道