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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGS4B60KD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPC60LC IRFPC40 IRFPC50LC IRFP120 IRFP140 IRFP | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:16A | 開啟電壓:4 | 極間電容:3500

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PC40WPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:600 | 最大漏極電流:14065 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:60 | 極間電容:600 | 最大耗散功率:65

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4BC20S IRG4BC20K | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 應用范圍:功率

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4BC20KDPbF | 用途:HI-REL/高可靠性 | 最大漏極電流:16A | 跨導:5 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:600 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:600 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:2 | 極間電容:3 | 最大耗散功率:60W

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ48 | 用途:NF/音頻(低頻) | 最大漏極電流:8 | 跨導:40 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:200 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:60 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:2 | 極間電容:6 | 最大耗散功率:4

品牌:IR/國際整流器 | 型號:30N60A4D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:20 | 跨導:10 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:200 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:30 | 最大耗散功率:20

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PSC71KD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:60 | 跨導:12 | 開啟電壓:200 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:1.6 | 極間電容:1.3 | 最大耗散功率:187

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4BC20WPBF | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:13 | 跨導:20 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:200 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:600 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:2.5 | 極間電容:1.3 | 最大耗散功率:60

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF634PBF | 封裝:TO-220 | 批號:08+

品牌:IR/國際整流器 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630/IRF640/IRF730/IFR540 IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導:vgs | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數:0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w