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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N90 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

類型:其他IC | 品牌:MAGNA CHIP美格納 | 型號:MDF4N60TH | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQB4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:ST原裝正品 | 跨導:ST原裝正品 | 開啟電壓:ST原裝正品 | 夾斷電壓:ST原裝正品 | 低頻噪聲系數:ST原裝正品 | 極間電容:ST原裝正品 | 最大耗散功率:ST原裝正品

品牌:WISDOM | 型號:WFF4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:MA | 跨導:1 | 開啟電壓:650 | 夾斷電壓:650 | 低頻噪聲系數:DB | 極間電容:PS | 最大耗散功率:MW