品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-99 個(gè)
￥4.90
≥100 個(gè)
￥4.85
類型:驅(qū)動(dòng)IC | 品牌:通嘉 | 型號(hào):LD7535 | 針腳數(shù):8 | 封裝:SOP-8 | 批號(hào):15+
≥1000 PCS
￥0.90
類型:通信IC | 品牌:FHF | 型號(hào):FHF12N65 | 封裝:DIP | 批號(hào):12+
品牌:AO | 型號(hào):AO3401AL | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 整盤數(shù)量:3000PCS
300-999 個(gè)
￥0.50
1000-2999 個(gè)
￥0.30
≥3000 個(gè)
￥0.18
類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):7N60 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝:TO-220F | 最大漏極電流:7 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數(shù):7
1000-4999 個(gè)
￥0.95
≥5000 個(gè)
￥0.90
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO9926B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥3000 PCS
￥0.10
類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4115PBF | 封裝:TO-220 | 批號(hào):11+
≥1 個(gè)
￥0.10
品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):XP0487800LS0(XP4878) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SYM/對(duì)稱類 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 千克
￥0.40
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
￥1.00
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2333DS-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.75W | 最大漏極電流ID:-4.1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
≥3000 個(gè)
￥0.70
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3433DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-4.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
≥3000 個(gè)
￥0.60
品牌:SILICON | 型號(hào):SI3441DV-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
￥0.70
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2301ADS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:-1.75A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
≥3000 個(gè)
￥0.55
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI1023X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
￥0.55
類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2865 | 封裝:TO-251 | 批號(hào):12+
≥5 PCS
￥1.20
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AOD4132 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
￥1.50
100-2499 個(gè)
￥1.40
≥2500 個(gè)
￥1.35
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO8830 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
100-999 個(gè)
￥0.45
1000-2999 個(gè)
￥0.42
≥3000 個(gè)
￥0.40
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):V30324-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
￥0.48
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA611TA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
￥0.40
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):UM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
￥0.28