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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Panasonic/松下 | 型號:XP0487800LS0(XP4878) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SYM/對稱類 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD4132 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:V30324-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA611TA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:UM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SILICON | 型號:SI3948DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3442DV-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:4A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:SILICON | 型號:SI3424DV-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:8A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 應用范圍:放大

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N16FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:HN7G02FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.05A | 最大源漏電壓VDSS:20V | 應用范圍:放大

品牌:AO | 型號:AOT472 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:140000

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K06FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:0.3W | 最大漏極電流ID:1.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K07FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:1.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K08FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:1.6A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR3704 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:90W | 最大漏極電流ID:75A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO8814 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4406 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOL1700 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:3 非標準型 SMD | 材料:N-FET硅N溝道