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品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3433DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-4.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:SILICON | 型號:SI3948DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPCT4202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.7W | 最大源極電流IS:6A | 最大源源電壓VSSS:30V

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS192P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:-0.19A | 最大源漏電壓VDSS:-250V | 產品類型:其他

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302DS | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.25W | 最大漏極電流ID:2.8A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC638P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-2.8A | 最大源漏電壓Vds:-20V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2306DS-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.25W | 最大漏極電流ID:3.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:正品 | 型號:FQPF10N20C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 類型:其他 | 批號:2014+ | 封裝:TO-220F

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3414 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道