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- MOS管FHF12N65/12N65
  
  類型:通信IC | 品牌:FHF | 型號:FHF12N65 | 封裝:DIP | 批號:12+
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- 場效應(yīng)管 MOS管 7N60 TO-220
  
  類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:7N60 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:TO-220F | 最大漏極電流:7 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數(shù):7
- 1000-4999 個
  
  ￥0.95
- ≥5000 個
  
  ￥0.90
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- SI2333DS-T1-E3/開關(guān)/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2333DS-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.75W | 最大漏極電流ID:-4.1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.70
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- SI3433DV/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY威世
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3433DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-4.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：威世m(xù)os管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.60
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- SI2301ADS/開關(guān)/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2301ADS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:-1.75A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
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- SI1023X/復(fù)合雙P溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 390mA SOT-563/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1023X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 vishay場效應(yīng)管復(fù)合場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
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- 場效應(yīng)管，MOS管，2SK2865
  
  類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2865 | 封裝:TO-251 | 批號:12+
- ≥5 PCS
  
  ￥1.20
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- V30324-T1-E3/雙N溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 0.7A/SOT-363/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:V30324-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.48
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- UM6K1/30V 0.1A/雙N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/ROHM
  
  品牌:ROHM/羅姆 | 型號:UM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場效應(yīng)管 rohm場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.28
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- SI3442DV-T1/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3442DV-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:4A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.80
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- SSM6N15FU/復(fù)合雙N溝道場效應(yīng)管MOSFET/30V 0.1A/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N15FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
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- SSM6N16FE/復(fù)合場效應(yīng)管MOSFET 雙N溝道 20V 0.1A SOT-563/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N16FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.48
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- HN7G02FU/復(fù)合管 N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET+PNP/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:HN7G02FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.05A | 最大源漏電壓VDSS:20V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
- 詢價
- SSM6K06FU/20V 1.1A/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K06FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:0.3W | 最大漏極電流ID:1.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- SSM6K07FU/30V 1.5A/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K07FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:1.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.58
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- SSM6K08FU/20V 1.6A/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K08FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:1.6A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.58
- 詢價
- SSM6J06FU/20V 0.65A/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6J06FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.65A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 p場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.48
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- SSM6J08FU/20V 1.3A/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6J08FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-1.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 p場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.48
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- SSM6J07FU/30V 0.8A/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6J07FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.8A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 p場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.50
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- SSM3K15FS/N溝道場效應(yīng)管MOSFET 30V 0.1A SOT-523/高速開關(guān)/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.45
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