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品牌:ON/安森美 | 型號:2SK30ATM-GR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K30A-GR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應用范圍:放大

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK8A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK249 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TUN/調諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:12.5V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK232 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:TUN/調諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:12.5V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK199 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TV/電視 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:13.5V | 應用范圍:放大

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK210-BL | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大柵漏電壓VGDS:-18V | 漏極電流IDSS:12~24mA

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK211-Y | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大柵漏電壓VGDS:-18V | 漏極電流IDSS:2.5~6mA

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1875 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大柵漏電壓VGDS:-20V | 漏極電流IDSS:16~32mA

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK80E08 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2611 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | to-3p:150W | 9A:900v | N溝道:焊機用

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK15A60U TK20A60U | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:DIP

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC8034-H TPC8035-H TPC8036-H TPC8037-H TPC8038-H | 功率:15 | 用途:線性 | 封裝:SOP-8 | 批號:12+

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPCF8301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6P41FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-247