應用范圍:放大 | 品牌:長電/CJ | 型號:全新原裝 SI2301DS 印字A1SHB MOS場效應管 貼片三極管 封裝 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:貼片
≥100 PCS
￥0.10
品牌:NS/國半 | 型號:LM2611BMFX | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 集電極最大允許電流ICM:A | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:A
≥3000 千克
￥0.01
品牌:NS/國半 | 型號:LM7121IM5X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 集電極最大允許電流ICM:A | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:A
≥3000 千克
￥0.01
品牌:OGFD | 型號:2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥0.01
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON6414A AOS貼片效應管系列原裝現貨 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SENSEFET電流敏感
≥1 個
￥0.50
品牌:MOT/TOSHIBA | 型號:MC33218AP AC138 AC166 AC174 AC175 AC257 AC258 SOP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 功率:1 | 針腳數:16 | 封裝:SOP16
≥1 個
￥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD8778 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
3-29 k
￥140.00
≥30 k
￥130.00
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 功率:22 | 類型:其他IC | 批號:新年份
≥1 個
￥0.55
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N7002FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:貼片型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:振蕩
≥1 個
￥0.30
品牌:Vishay/威世通 | 型號:55000 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 批號:12+ | 產品類型:其他 | 封裝:SOT-23
≥10 個
￥0.20