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類型:通信IC | 品牌:ST | 型號:SI2305DS-T1-E3 | 封裝:TO-223 | 批號:13

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF20N60C | 材料:IC | 封裝形式:220F

應用范圍:功率 | 品牌:ST(意法半導體) | 型號:P75NF75 | 材料:其他 | 封裝形式:TO-220-3

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2611 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | to-3p:150W | 9A:900v | N溝道:焊機用

品牌:RUICHIPS | 型號:RU6888S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SMD

品牌:HI-SEMI | 型號:12N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:ANPEC/茂達 | 型號:APM3093PUC-TR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:臺灣富鼎 | 型號:AP73T02GH-HF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀

品牌:Federick美國 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ464 J464 2SJ657 J657 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:全系列 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF620S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AO | 型號:AO4406 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 功率:1 | 批號:2012+ | 封裝:SOP-8

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP608 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP806 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道