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品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302CDS-T1-GE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302DS | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.25W | 最大漏極電流ID:2.8A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2303DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1905DL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1025X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AO4421 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AO3460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1916TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:KWAIDA奎達 | 型號:KD9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝:SOP-8

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 P75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STTH1002CT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP5NK60Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型

品牌:OGFD | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP55N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ON/安森美 | 型號:NDF10N60ZG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4406 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SL | 型號:SVF4N65T/F/D/M | 溝道類型:其他 | 類型:驅動IC | 批號:2012+ | 封裝:TO220:TO220F;TO251:TO252

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN340P FDN358P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 備注:1 | 產品類型:開關管 | 是否進口:是

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 T0-251 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:4 | 跨導:4 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:4 | 低頻噪聲系數:4 | 極間電容:4 | 最大耗散功率:4