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- 《》充電器場(chǎng)效應(yīng)管K2141
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):K2141 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 最大漏極電流:- | 低頻噪聲系數(shù):- | 極間電容:-
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢(xún) 價(jià)
- UPA1915TE/P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET -20V -4.5A SOT-163/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA1915TE | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.90
- 詢(xún) 價(jià)
- UPA1952TE/復(fù)合管場(chǎng)效應(yīng)管MOS 雙P溝道 20V 2A SOT-163/開(kāi)關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):upa1952te | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.95
- 詢(xún) 價(jià)
- UPA1916TE/12V 4.5A/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/開(kāi)關(guān)/SOT-163/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA1916TE | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.95
- 詢(xún) 價(jià)
- NE5520379A/射頻功率放大/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-86/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):NE5520379A | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類(lèi)型:其他IC | 最大耗散功率PD:20W | 最大漏極電流ID:1.5A | 最大源漏電壓VDSS:15V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥9.00
- 詢(xún) 價(jià)
- 2SK1748-Z-E1/開(kāi)關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-252/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK1748-Z-E1 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:8A | 最大源漏電壓VDSS:60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 8n60場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥700 個(gè)
  
  ￥0.75
- 詢(xún) 價(jià)
- 2SK640/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-89/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK640 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類(lèi)型:其他IC
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： sot-89場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢(xún) 價(jià)
- 2SK4028C-T1/N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET 20V 150~240uA SOT-723/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK4028C-T1 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢(xún) 價(jià)
- 2SK2858/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS 30V 0.1A SOT-323/高速開(kāi)關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK2858 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.23
- 詢(xún) 價(jià)
- 3SK242/雙柵N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS 20V 25mA SOT-343/RF放大混頻/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):3SK242 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢(xún) 價(jià)
- 3SK132A/RF放大/雙柵極 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-143/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):3SK132A | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.025A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢(xún) 價(jià)
- 2SK3107/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS 30V 0.1A SOT-523/高速開(kāi)關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK3107 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng) n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢(xún) 價(jià)