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- 2SK1697EY/N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS 60V 0.5A SOT-89/高速開(kāi)關(guān)/HITACHI
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK1697EY | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 2n60場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- 2SK1579/N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS 12V 2A SOT-89/高速電源開(kāi)關(guān)/HITACHI
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK1579 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道m(xù)os管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- 2SJ574BPTL/P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS 30V 300mA SOT-23/高速開(kāi)關(guān)/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SJ574BPTL | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：日立場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 2SJ451ZK/P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS -20V -0.2A SOT-23/低頻開(kāi)關(guān)/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SJ451ZK | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：日立場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- 2SJ317NY/P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS -12V -2A SOT-89/高速電源開(kāi)關(guān)/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SJ317NY | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：日立場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管 sot-89場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 2SJ186/高速電源開(kāi)關(guān)/P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS -200V -0.5A SOT-89/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SJ186 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.65
- 詢價(jià)
- 2SK3290BNTL/高速開(kāi)關(guān)/N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-23/HITACHI
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK3290BNTL | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產(chǎn)品類(lèi)型:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：日立場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.43
- 詢價(jià)
- 2SK2980/N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS 30V 1A SOT-23/高速電源開(kāi)關(guān)/HITACHI
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK2980 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：日立場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 2SK2315/高速功率開(kāi)關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-89/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK2315 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.60
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- 2SK1772/N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS 30V 1A SOT-89/高速電源開(kāi)關(guān)/HITACHI
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK1772 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng) n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)