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應用范圍:功率 | 品牌:ST(意法半導體) | 型號:P75NF75 | 材料:其他 | 封裝形式:TO-220-3

品牌:RUICHIPS | 型號:RU6888S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SMD

品牌:AO | 型號:AO4407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 類型:其他IC | 批號:12 | 封裝:貼片SOP8

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2n60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFBC20PBF | 溝道類型:其他 | 類型:穩壓IC | 批號:11+ 12+ | 封裝:TO-220AB

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK1940 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si)

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4368 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si)

品牌:SL | 型號:SVF4N65T/F/D/M | 溝道類型:其他 | 類型:驅動IC | 批號:2012+ | 封裝:TO220:TO220F;TO251:TO252

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN340P FDN358P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 備注:1 | 產品類型:開關管 | 是否進口:是

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RSR025N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:2.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產品類型:其他

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RJU003N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.3A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產品類型:其他

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:NE5520379A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:20W | 最大漏極電流ID:1.5A | 最大源漏電壓VDSS:15V

品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:2N7002F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.83W | 最大漏極電流ID:0.475A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK721 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 應用范圍:放大

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK640 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC

品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK3290BNTL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產品類型:其他

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:5HN02M-TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:50V | 應用范圍:放大

品牌:Panasonic/松下 | 型號:2SK386209L(2SK38620TL) | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大柵漏電壓VGDS:20V | 漏極電流IDSS:107~460uA | 介質材料:其他

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4430 4420貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:2015+ | 封裝:SOP8

品牌:其他 | 型號:場效應管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型