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品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD4189 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4718 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT460 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT430 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP608 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT404 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP806 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON3810 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:2 個 N 溝道（雙） | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD，扁平引線裸焊盤 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON3402 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-VDFN | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON3806 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:2 個 N 溝道（雙） | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD，扁平引線裸焊盤 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:CRI美國克里姆森 | 型號:C4420 2SC4420 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:CSA美國CSA工業 | 型號:A1386 2SA1386/2SC3519 C3519 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:Clevite美國 | 型號:A1205 2SA1205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:Calogic美國 | 型號:D1027 2SD1027 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:CEN美國中央半導體 | 型號:2SC4235 C4235 C4706 2SC4706 C4138 2SC4138 D92-03 D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:Clevite美國 | 型號:C3210 2SC3210 2SC3012 C3012 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:BEN美國本迪克斯 | 型號:D1399 2SD1399 2SD1396 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:APT美國先進功率 | 型號:D1399 2SD1399 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:CEN美國中央半導體 | 型號:C4059 2SC4059 2SC4058 2SC4232 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型