品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT430 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥0.50
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP608 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-4999 個
￥0.66
≥5000 個
￥0.65
品牌:CEN美國中央半導體 | 型號:2SC4235 C4235 C4706 2SC4706 C4138 2SC4138 D92-03 D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體
≥100 個
￥2.00
品牌:PIP | 型號:PSA04N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:4A 650V | 針腳數:3 | 封裝:TO-220F
≥1000 個
￥0.80
品牌:FCH美國范恰得 | 型號:FS6S0965RCB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:原廠規(guī)格 | 開啟電壓:原廠規(guī)格 | 夾斷電壓:原廠規(guī)格 | 低頻噪聲系數:原廠規(guī)格 | 極間電容:原廠規(guī)格 | 最大耗散功率:原廠規(guī)格 | 低頻跨導:原廠規(guī)格
≥1 千克
￥1.00
品牌:Directed美國 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-1999 個
￥0.02
≥2000 個
￥0.01
品牌:Omnirel美國 | 型號:PR6850 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
￥1.25
品牌:Federick美國 | 型號:FQP50N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.1 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:1
≥1 K
￥1.20
品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXGH39N60BD1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1 個
￥7.00
品牌:PIP | 型號:PSA02N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:2A 600V | 針腳數:3 | 封裝:TO-220F
≥1000 個
￥0.90
品牌:Federick美國 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個
￥0.36
品牌:Federick美國 | 型號:FQPF8N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥500 個
￥0.78
品牌:APT美國先進功率 | 型號:APT60DQ120BG | 應用范圍:其他 | 最大漏極電流:10 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10
≥30 個
￥13.00
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP800 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP611 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP610 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP609 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N 和 P 溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP608 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP607 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP605 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N 和 P 溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道