品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD4189 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
10-199 個
￥1.50
200-2499 個
￥1.23
≥2500 個
￥1.13
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO8830 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
100-999 個
￥0.45
1000-2999 個
￥0.42
≥3000 個
￥0.40
品牌:CEN美國中央半導體 | 型號:CD2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 集成電路:場效應管
1000-9999 個
￥0.18
10000-99999 個
￥0.16
≥100000 個
￥0.15
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOU436 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥10
￥0.50
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT424 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥10
￥1.10
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4706 AO4800 AO4801 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:通信IC | 批號:11年 | 封裝:SOP8
品牌:IR 美國國際整流器 | 型號:IRF530N，IRF540N，IRF630N，IRF640N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:2011+ | 封裝:TO-220
≥1 千克
￥0.10