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- IXKH70N60 場效應 IXYS TO-247
  
  品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXKH70N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥1.00
- 詢價
- IXYS IXGH39N60BD1 IGBT TO-247
  
  品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXGH39N60BD1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體
- ≥1 個
  
  ￥7.00
- 詢價
- IXYS IXFX44N50 場效應 TO-247
  
  品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFX44N50 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
- ≥1 個
  
  ￥8.00
- 詢價
- IXYS IXFP7N80P 場效應 TO-220
  
  品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFP7N80P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥2.50
- 詢價
- FQPF2N60C FSC TO-220F塑封 50只/管
  
  品牌:Federick美國 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個
  
  ￥0.36
- 詢價
- IXYS IXFH75N10 場效應 TO-247
  
  品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFH75N10 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體
- ≥1 個
  
  ￥6.00
- 詢價
- AO美國萬代 AOD409 D409 AOD409L MOSFET P 通道 60V 26A
  
  品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOD409 AOD409L AOD403 AOD405 AOD407 AOD408 AOD411 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:-26A | 開啟電壓:-60 | 夾斷電壓:-60
- 100-2499 個
  
  ￥1.60
- ≥2500 個
  
  ￥1.58
- 詢價
- 美國萬代AOS 雙溝道場效應MOS管 AOD604 AOD604L
  
  品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOD604 AOD604L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:40 | 夾斷電壓:-40
  
  相產產品：萬代場效應萬代mos管
- ≥1 個
  
  ￥1.00
- 詢價