品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXKH70N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXGH39N60BD1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1 個
¥7.00
品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFX44N50 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥1 個
¥8.00
品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFP7N80P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥2.50
品牌:Federick美國 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個
¥0.36
品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFH75N10 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1 個
¥6.00
品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOD409 AOD409L AOD403 AOD405 AOD407 AOD408 AOD411 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:-26A | 開啟電壓:-60 | 夾斷電壓:-60
100-2499 個
¥1.60
≥2500 個
¥1.58
品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOD604 AOD604L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:40 | 夾斷電壓:-40
≥1 個
¥1.00