品牌:CEN美國中央半導體 | 型號:CD2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 集成電路:場效應管
1000-9999 個
¥0.18
10000-99999 個
¥0.16
≥100000 個
¥0.15
品牌:SEM美國半導體 | 型號:FQPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
1-99 個
¥0.70
≥100 個
¥0.65
品牌:AOS/ALPHA | 型號:AO4456 AO4459 AO4466 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:6.5A | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:20
≥100 個
¥0.80
品牌:AO/美國萬代 | 型號:AO3400 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:85000MA | 開啟電壓:25V | 夾斷電壓:30V
1-1 K
¥200.00
2-2 K
¥190.00
≥3 K
¥175.00
品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AO3409 AO3413 AO3415 AO3418 AO3419 AO3420 AO3460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:2.6A | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:20
≥10 個
¥0.35
品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOD604 AOD604L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:40 | 夾斷電壓:-40
≥1 個
¥1.00