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- AOS/美國萬代 AOT430 MOS管場效應管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT430 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產產品： aos場效應 aos場效應管萬代mos管
- ≥1 個
  
  ￥0.50
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- AOS/美國萬代 AO7404 MOS管 AOS場效應管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7404 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產產品： aos場效應管萬代mos管
- ≥1 個
  
  ￥0.52
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- AOS美國萬代 AO4407 MOS管場效應管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產產品： mosfet場效應管 aos場效應管
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  ￥0.50
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- AOS美國萬代 AO3407 MOS管場效應管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產產品： aos場效應管 mosfet場效應管
- 100-499 個
  
  ￥0.25
- ≥500 個
  
  ￥0.20
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- AOS美國萬代 AO3400A MOS管場效應管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產產品： mosfet場效應管 aos場效應管
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  ￥0.20
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- ≥3000 個
  
  ￥0.18
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- AOS美國萬代 AO3400 MOS管場效應管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產產品： ao場效應管 mosfet場效應管 aos場效應管
- 100-999 個
  
  ￥0.20
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- AOS美國萬代 AO3418 MOS管場效應管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3418 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產產品： ao場效應管 aos場效應管萬代mos管
- ≥100
  
  ￥0.36
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- AOS美國萬代 AO4801A MOS管場效應管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4801A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個 P 溝道（雙） | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產產品： mos管場效應 mosfet場效應管 aos場效應管
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- ≥3000 個
  
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- AOS美國萬代 AO4474 MOS管場效應管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4474 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產產品： mosfet場效應管 aos場效應管
- 100-999 個
  
  ￥0.80
- 1000-2999 個
  
  ￥0.78
- ≥3000 個
  
  ￥0.75
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- FQPF6N60C FSC/仙童 TO-220F
  
  品牌:Federick美國 | 型號:FQPF6N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥500 個
  
  ￥0.75
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- 供APT60DQ120BG
  
  品牌:APT美國先進功率 | 型號:APT60DQ120BG | 應用范圍:其他 | 最大漏極電流:10 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10
- ≥30 個
  
  ￥13.00
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- 美國萬代AOS場效應管 AO4459 4459 P溝道 30V 6.5A
  
  品牌:AOS/ALPHA | 型號:AO4456 AO4459 AO4466 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:6.5A | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:20
- ≥100 個
  
  ￥0.80
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- AOS美國萬代場效應管MOS管AO7407
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產產品： n溝道mos管 aos場效應管萬代mos管
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- AOS美國萬代場效應管MOS管AO6604
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO6604 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N 和 P 溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產產品： aos場效應管萬代mos管
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- AO3407 AOS美國萬代低壓MOS場效應管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產產品： mos場效應管低壓場效應管 aos場效應管
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- 衛星導航應用貼片場效應管 AO3407貼片場效應管貼片場效應管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC
- ≥1000 個
  
  ￥0.10
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- AO4407AL進口AOS
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4407AL | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
- ≥3000 個
  
  ￥0.50
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- MOS場效應管 AOD452 D452 N型 25V 55A 進口美國萬代
  
  品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOD452A AOD452AL AOD448 AOD412 AOD452 AOD452AL | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:55A | 開啟電壓:25 | 最大耗散功率:50W
- ≥1000 個
  
  ￥0.80
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- 美國萬代AOS AOD4185 D4185 AOD4185L
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD4132 AOD413 AOD414 AOD4185 AOD4186 AOD4110 AOD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:40A | 開啟電壓:40 | 夾斷電壓:40
- 10-99 個
  
  ￥1.20
- 100-999 個
  
  ￥1.00
- ≥1000 個
  
  ￥0.97
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- P溝道場效應MOS管 40V 12A D413 AOD413 AOD413A AOD413L
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD413 AOD413A AOD413L P溝道場效應管 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:-12A | 開啟電壓:-40 | 夾斷電壓:-40
- ≥100 個
  
  ￥0.90
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