品牌:FCH美國范恰得 | 型號:FS6S0965RCB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:原廠規格 | 開啟電壓:原廠規格 | 夾斷電壓:原廠規格 | 低頻噪聲系數:原廠規格 | 極間電容:原廠規格 | 最大耗散功率:原廠規格 | 低頻跨導:原廠規格
≥1 千克
￥1.00
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOU436 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥10
￥0.50
品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFX44N50 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥1 個
￥8.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 擊穿電壓VCBO:300 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:100
50-199 個
￥1.70
≥200 個
￥1.65
品牌:Federick美國 | 型號:FQPF5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:200 | 低頻噪聲系數:20 | 極間電容:2
1000-4999 個
￥1.45
5000-9999 個
￥1.40
≥10000 個
￥1.38