品牌:Federick美國 | 型號:FQP50N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.1 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:1
≥1 K
¥1.20
品牌:Federick美國 | 型號:FQPF6N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥500 個
¥0.75
品牌:Federick美國 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個
¥0.36
品牌:Federick美國 | 型號:FQPF8N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥500 個
¥0.78
品牌:Federick美國 | 型號:FGA25N120ANTDTU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥100 個
¥3.00
品牌:Federick美國 | 型號:FQPF5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:200 | 低頻噪聲系數:20 | 極間電容:2
1000-4999 個
¥1.45
5000-9999 個
¥1.40
≥10000 個
¥1.38