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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ46N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFIZ34G | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI9540G | 跨導:/ | 最大漏極電流:/ | 開啟電壓:/ | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:耗盡型 | 夾斷電壓:// | 低頻噪聲系數:/ | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF5305 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 跨導:* | 類型:其他IC | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 應用范圍:放大

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI840G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:/ | 開啟電壓:/ | 夾斷電壓:/ | 低頻噪聲系數:/ | 極間電容:/

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI640G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 極間電容:*

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLI540G | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:耗盡型 | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:13+ | 封裝:TO-220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF540N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 擊穿電壓VCBO:400 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:100

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF540 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 擊穿電壓VCBO:400 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:100

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 擊穿電壓VCBO:300 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:100

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI730G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFIBC30G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFBC30 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP3710 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1010EPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 開啟電壓:55 | 夾斷電壓:85

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP350 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷