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品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:14N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXKH70N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXGH39N60BD1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXFX44N50 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXFP7N80P | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXTQ36N30P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXFK85N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXFK180N10 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXFH75N10 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXFH26N50Q | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXFH14N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IKW50N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXTP06N120P | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:0.6A | 跨導(dǎo):0.2 | 開啟電壓:1200 | 夾斷電壓:1200 | 低頻噪聲系數(shù):0..2 | 極間電容:0.2 | 最大耗散功率:100

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXTH260N055T2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:原廠標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):原廠標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:原廠標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:原廠標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):原廠標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:原廠標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:原廠標(biāo)準(zhǔn)

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXTK80N25 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:250 | 夾斷電壓:80 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1