品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4824 | 溝道類型:其他 | 用途:儀器 | 類型:穩(wěn)壓IC | 功率:1 | 批號(hào):05+ | 封裝:SOP8
≥2500 個(gè)
￥1.00
類型:其他IC | 品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AOT430 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝:TO220
類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFIZ34G | 跨導(dǎo):* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*
類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFI9540G | 跨導(dǎo):/ | 最大漏極電流:/ | 開啟電壓:/ | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 夾斷電壓:// | 低頻噪聲系數(shù):/ | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF5305 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 跨導(dǎo):* | 類型:其他IC | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*
品牌:APT美國(guó)先進(jìn)功率 | 型號(hào):APT60DQ120BG | 應(yīng)用范圍:其他 | 最大漏極電流:10 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):10 | 極間電容:10
≥30 個(gè)
￥13.00
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AOD4N60 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-252
≥5 PCS
￥1.00
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AON6240 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:DFN5*6
≥5 PCS
￥2.60
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO3401A | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:SOT23
≥5 PCS
￥0.15
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AOD407 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-252
≥5 PCS
￥0.90
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4450 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:SOP8
≥5 PCS
￥2.00
類型:其他IC | 品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AOT418L | 封裝:TO-220 | 批號(hào):11+ | 是否提供加工定制:否
≥5 PCS
￥3.60
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO3414場(chǎng)效應(yīng)管/N溝道MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):2011+ | 封裝:SOT-23/SOT-23-3
≥3 K
￥270.00
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 批號(hào):11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:SOP8
≥100 個(gè)
￥1.00
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4419 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:22 | 跨導(dǎo):22 | 類型:其他IC
≥1 個(gè)
￥0.20
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC
≥1000 個(gè)
￥0.10
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO3401A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:11 | 類型:其他IC | 批號(hào):新年份
≥1 個(gè)
￥0.18