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品牌:CEN美國中央半導體 | 型號:2SC4235 C4235 C4706 2SC4706 C4138 2SC4138 D92-03 D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXGH39N60BD1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFK85N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFH75N10 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IKW50N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:SEM美國半導體 | 型號:HFP10N60S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體