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品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO8830 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4403 4403貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:原裝數據 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8 原裝進口

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4474 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:13400 | 開啟電壓:12 | 夾斷電壓:30

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXTP06N120P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:0.6A | 跨導:0.2 | 開啟電壓:1200 | 夾斷電壓:1200 | 低頻噪聲系數:0..2 | 極間電容:0.2 | 最大耗散功率:100

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4430 4420貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:2015+ | 封裝:SOP8

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4414 4414貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4410 4410貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8 深圳全新產品

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4407A 4407A貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8 深圳全新產品

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP3710 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP350 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD408 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HG/高跨導 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 產品性質:新品 | 營銷方式:現貨 | 處理信號:模擬信號

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 產品類型:其他 | 應用范圍:放大

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD442 D442 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:2014+ | 封裝:TO-252