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品牌:IR/國際整流器 | 型號:場效應管IRF2807 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:？ | 低頻噪聲系數:? | 極間電容:?

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:3205 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:拆機場效應管IRF3205.IRF3710.IRF2807.. | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:? | 集電極最大允許電流ICM:100V，57A，70V，78A，， | 截止頻率fT:?

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205NS，3205NS | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導:55 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:通信IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205 | 封裝:TO-220 | 批號:拆機.散新

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:通信IC | 品牌:三星.ST.M | 型號:IRF3205 | 封裝:TO-220 | 批號:拆機.散新

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

應用范圍:放大 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:F540NS | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SMD

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205 IRF3710 IRF2807 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3710、IRF3205場效應管 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 材料:N-FET硅N溝道

最大漏極電流:? | 功率:? | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 型號:拆機場效應管IRF1010.IRF2807，IRF3710.IRF3205.IRFZ46N.IRFZ44NIRF1010 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 品牌:IR/國際整流器 | 用途:SW-REG/開關電源 | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:?