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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44ZN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44N | 產品單價:0.88 | 發貨期限:3 | 封裝:TO-220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 最大漏極電流:- | 跨導:- | 開啟電壓:- | 夾斷電壓:- | 低頻噪聲系數:- | 極間電容:- | 最大耗散功率:-

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:49A | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

品牌:PHI IR ST SEC | 型號:IRFZ44N | 發貨期限:1 | 封裝:TO-220 TO-3P T0-251 T0-126

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44NPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 0:0

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44N IRFZ46N IRFZ48N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝:TO-220 | 批號:2012+ | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1404L.IRL3803L.IRFZ44NL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44VPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44V | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 開啟電壓:60

類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRFZ44N | 功率:0 | 用途:儀器 | 封裝:TO220

品牌:IR | 型號:IRFZ44VPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:IR | 型號:IRFZ44RPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:IR | 型號:IRFZ44NSTRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:IR | 型號:IRFZ44NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道