品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44N IRFZ46N IRFZ48N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
￥0.60
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRL1404S IRFZ44VZS IRL3803S IRF3307 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥10 個(gè)
￥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRLZ44NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號(hào):12+ | 封裝:TO-220
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44 IRFZ44N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
500-999 千克
￥0.65
1000-1999 千克
￥0.62
≥2000 千克
￥0.60
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44STRL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥5 個(gè)
￥0.20
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥5 個(gè)
￥0.20
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC
≥1000 個(gè)
￥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ34N IRFZ34NS IRFZ44N，IRFZ24N，IRFZ25，IRFZ30，IRF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:26A | 低頻噪聲系數(shù):` | 極間電容:700
≥100 個(gè)
￥1.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44RPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號(hào):13+ | 封裝:TO-220
≥50 個(gè)
￥1.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道
≥50 個(gè)
￥1.15
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44NSTRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC
≥50 個(gè)
￥2.40
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFP140N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 最大漏極電流:15 | 跨導(dǎo):20 | 開啟電壓:50 | 夾斷電壓:15 | 低頻噪聲系數(shù):15 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:15
1-49 個(gè)
￥5.00
≥50 個(gè)
￥4.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44VSTRRPBFF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:原廠規(guī)格 | 低頻噪聲系數(shù):原廠規(guī)格 | 極間電容:原廠規(guī)格
≥1 個(gè)
￥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44VPBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:55 | 跨導(dǎo):10 | 開啟電壓:60 | 夾斷電壓:120 | 低頻噪聲系數(shù):0.5 | 極間電容:0.3 | 最大耗散功率:115
≥1 個(gè)
￥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44NPBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:41 | 跨導(dǎo):10 | 開啟電壓:55 | 夾斷電壓:120 | 低頻噪聲系數(shù):0.3 | 極間電容:0.3 | 最大耗散功率:83
≥1 個(gè)
￥0.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大
100-999 個(gè)
￥0.50
≥1000 個(gè)
￥0.40