免费欧美网站_国产精品成熟老女人_一区二区国产精品视频_欧美野外猛男的大粗鳮_97神马电影_色就是色欧美_免费一区二区三区在线观看_国产精品熟女一区二区不卡_国产又粗又黄又猛_真实乱视频国产免费观看

品牌:FCH美國范恰得 | 型號:IRF820 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2.1 | 跨導:FD | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數:RT | 極間電容:4G | 最大耗散功率:FG

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7600 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:CEN美國中央半導體 | 型號:CD2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 集成電路:場效應管

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOU436 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:Federick美國 | 型號:FQPF6N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:SEM美國半導體 | 型號:FQPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:AO | 型號:AOB412L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7600 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Federick美國 | 型號:FGA25N120ANTDTU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD456(P) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:TO-252

品牌:ETC美國電子晶體管 | 型號:YB9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:- | 跨導:- | 開啟電壓:- | 夾斷電壓:- | 低頻噪聲系數:- | 極間電容:- | 最大耗散功率:-

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 產品類型:其他 | 應用范圍:放大

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400/AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道