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- MOS管AO3413 AO3414 AO3415
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3413 AO3414 AO3415 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:4.5 | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:120
- ≥10 個(gè)
  
  ￥0.28
- 詢價(jià)
- 4A 650V美國PIP大功率場效應(yīng)管大功率MOS管PSA04N65
  
  品牌:PIP | 型號:PSA04N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:4A 650V | 針腳數(shù):3 | 封裝:TO-220F
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場效應(yīng)管大功率mos管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.80
- 詢價(jià)
- 三極管MOS管 AO4420 MDT4420 SOP-8
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4420 MDT4420 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥2500 個(gè)
  
  ￥0.80
- 詢價(jià)
- FQPF6N60C FSC/仙童 TO-220F
  
  品牌:Federick美國 | 型號:FQPF6N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.75
- 詢價(jià)
- FQPF8N60C FSC TO-220F 50只/管
  
  品牌:Federick美國 | 型號:FQPF8N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.78
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管 IGBT MOS管IRF740
  
  品牌:AMS美國微系統(tǒng) | 型號:IRF740 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:+- | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數(shù):+- | 極間電容:+- | 最大耗散功率:+-
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng)管大電流mos管 irf740場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管 IGBT MOS管IRFP360三極管
  
  品牌:ADV美國先進(jìn)半導(dǎo)體 | 型號:IRFP360 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng)管大電流三極管大電流mos管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥3.40
- 詢價(jià)
- IRF630N場效應(yīng)管三極管 TO-220 美國IR 墨西哥進(jìn)口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to-220三極管 ir三極管全新三極管
- ≥400 個(gè)
  
  ￥1.33
- 詢價(jià)
- 美國萬代AOS場效應(yīng)管 AO4706 AO4800 AO4801
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4706 AO4800 AO4801 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:通信IC | 批號:11年 | 封裝:SOP8
- 詢價(jià)
- AOS/美國萬代場效應(yīng)管MOS管AO3419詢問
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3419 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號:12+ | 封裝:SOT-23
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場效應(yīng) aos場效應(yīng)管萬代mos管
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥0.03
- 3000-29999 個(gè)
  
  ￥0.02
- ≥30000 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)
- AOS/美國萬代場效應(yīng)管MOS管AO3414詢問
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3414 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號:12+ | 封裝:SOT-23
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場效應(yīng)管萬代mos管
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥0.03
- 3000-29999 個(gè)
  
  ￥0.02
- ≥30000 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)
- AO4435A 低壓MOS管美國萬代 mos管 p溝道
  
  品牌:AO | 型號:AO4435A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：低壓mos管萬代mos管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢價(jià)
- AO3403 低壓MOS管美國萬代 mos管 3403 p溝道
  
  品牌:AO | 型號:AO3403 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： ao場效應(yīng)管低壓mos管萬代mos管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢價(jià)
- IRF540N_IRF540NPBF場效應(yīng)管
  
  品牌:IR 美國國際整流器 | 型號:IRF530N，IRF540N，IRF630N，IRF640N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:2011+ | 封裝:TO-220
- ≥1 千克
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 偶是IRF530N IRF540N 美國IR品牌
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF540N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 擊穿電壓VCBO:400 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:100
- 50-199 千克
  
  ￥1.90
- ≥200 千克
  
  ￥1.87
- 詢價(jià)
- AOS/美國萬代場效應(yīng)管MOS管AO3407A現(xiàn)
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物，MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:符合 | 批號:12+ | 封裝:SOT-23
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場效應(yīng)管萬代mos管
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥0.03
- 3000-29999 個(gè)
  
  ￥0.02
- ≥30000 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)
- AOS 美國 AOB412L TO-263 D2PAK 100V 大電流MOS管
  
  品牌:AO | 型號:AOB412L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng)管大電流mos管
- 1-9 個(gè)
  
  ￥0.30
- 10-99 個(gè)
  
  ￥0.20
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 美國仙童FGH60N60SMD
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH60N60SMD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 開啟電壓:3
- ≥100 個(gè)
  
  ￥27.00
- 詢價(jià)