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品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOTF12N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AO | 型號:AOD484 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT430 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝:TO220

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFIZ34G | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI9540G | 跨導:/ | 最大漏極電流:/ | 開啟電壓:/ | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:耗盡型 | 夾斷電壓:// | 低頻噪聲系數:/ | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF5305 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 跨導:* | 類型:其他IC | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4420 AO4800 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3406 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:SOT-23

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3419 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 批號:11+ | 封裝:SOT-23

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF6N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:APT美國先進功率 | 型號:APT60DQ120BG | 應用范圍:其他 | 最大漏極電流:10 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10

品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXTQ36N30P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4952 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4884 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道