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品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOZ1014AI | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SOP

品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IKW50N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:4200 | 開啟電壓:12 | 夾斷電壓:30 | 極間電容:77 | 最大耗散功率:1400

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3414場效應管/N溝道MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:2011+ | 封裝:SOT-23/SOT-23-3

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD8424H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-252-4

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3415 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:4A | 開啟電壓:8V | 夾斷電壓:20V

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI840G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:/ | 開啟電壓:/ | 夾斷電壓:/ | 低頻噪聲系數:/ | 極間電容:/

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI640G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 極間電容:*

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N90C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:4620 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N 和 P 溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:4420 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3402 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON6504 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4437 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4427 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA24N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA140N10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA13N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道