類型:其他IC | 品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT418L | 封裝:TO-220 | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否
≥5 PCS
¥3.60
品牌:SEM美國半導體 | 型號:FQPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
1-99 個
¥0.70
≥100 個
¥0.65
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4474 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:13400 | 開啟電壓:12 | 夾斷電壓:30
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4706 AO4800 AO4801 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:通信IC | 批號:11年 | 封裝:SOP8
品牌:AOS/ALPHA | 型號:AO4456 AO4459 AO4466 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:6.5A | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:20
≥100 個
¥0.80
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO5404E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:500 | 開啟電壓:8 | 夾斷電壓:20
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3424 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:3800 | 開啟電壓:12 | 夾斷電壓:30
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3438 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:3000 | 開啟電壓:8 | 夾斷電壓:20
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4466 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10000 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:30
品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4406A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個
¥0.01
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:8810 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個
¥0.01
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO6704L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.58
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4405 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO6800 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.70
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO8806 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7801 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個 P 溝道(雙) | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7413 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO6604 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N 和 P 溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道