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品牌:CEN美國中央半導體 | 型號:C1826 2SC1826 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:ADV美國先進半導體 | 型號:NTD60N02 NTD70N02 NTD80N02 NTD70N03 NTD60N03 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:62A | 開啟電壓:24 | 最大耗散功率:58W

品牌:ATT美國電話電報 | 型號:C3552 2SC3552 J13009-2 STPS2045CT STPS20H100CT 20N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:DIC美國狄克遜 | 型號:D1632 2SD1632 2SD1677 FQP2N60C FQPF2N60C E13007F-R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:PIS美國普利西 | 型號:K2512 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD4184 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:55A | 開啟電壓:20V | 夾斷電壓:30V

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4409 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:-

品牌:CEN美國中央半導體 | 型號:CD2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 集成電路:場效應管

品牌:CMU | 型號:CMU4435/AO4435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FCH美國范恰得 | 型號:FS6S0965RCB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:原廠規格 | 開啟電壓:原廠規格 | 夾斷電壓:原廠規格 | 低頻噪聲系數:原廠規格 | 極間電容:原廠規格 | 最大耗散功率:原廠規格 | 低頻跨導:原廠規格

品牌:Directed美國 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Omnirel美國 | 型號:PR6850 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3402 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOU436 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:IGBT絕緣柵比極