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品牌:ON/安森美 | 型號:NDF10N60ZG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ON/安森美 | 型號:NTHD2102PT1G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個 P 溝道（雙） | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-3.4A | 最大源漏電壓VDSS:-8V

品牌:ON/安森美 | 型號:MGSF1P02LT1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.4W | 最大漏極電流ID:-0.75A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:ON/安森美 | 型號:2N7002LT1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:0.115A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:ON/安森美 | 型號:2N7002EPT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:場效應 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:全新原裝2014+